产品详情
简单介绍：
BD-86A型半导体电阻率测试仪
它更适合于半导体器材厂工艺检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量精度高，稳定性好，输入阻抗高，使用方便、价格低廉等特点。
详情介绍：
BD-86A型半导体电阻率测试仪
BD-86A型半导体电阻率测试仪是我厂推出的*新的普及型半导体电阻率测试仪
器，本仪器是根据四探针原理，适合半导体器材厂，材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率，方块电阻（簿层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻，经过对用户、半导体厂测试的调查，根据美国ASTM标准的规定，在电路和探头方面作了重大的修改和技术上的许多突破，它更适合于半导体器材厂工艺检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量精度高，稳定性好，输入阻抗高，使用方便、价格低廉等特点。
器，本仪器是根据四探针原理，适合半导体器材厂，材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率，方块电阻（簿层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻，经过对用户、半导体厂测试的调查，根据美国ASTM标准的规定，在电路和探头方面作了重大的修改和技术上的许多突破，它更适合于半导体器材厂工艺检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量精度高，稳定性好，输入阻抗高，使用方便、价格低廉等特点。 仪器主要技术指标：
1． 测量范围：电阻率10-3—103Ω-cm，分辩率为 10-4Ω-cm ，可扩展到105Ω-cm
方块电阻10-2—104Ω/□，分辩率为10-3Ω/□，可扩展到106Ω/□
薄层金属电阻10-4—105Ω，分辩率为10-4Ω
2.可测半导体材料尺寸：直径Φ15—Φ125mm； 长度：150mm(可扩展500mm)
3.测量方式：轴向、断面均可
4．数字电压表：（1）量程：20mV(分辩率：10μV)、200mV、2V
（2）测量误差：±0.3%读数±1字
（3）输入阻抗：大于108Ω
（4）显示3 1/2 位红色发光二极管（LED）数字显示
0---1999具有极性、过载、小数点、单位自动显示
5．恒流源：由交流供电，具有良好的防泄漏隔离功能
（1） 直流电流：0—100mA连续可调
（2） 量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
（3） 分辩率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA
（4） 电流误差：±0.3%读数±2字
6．电性能模拟考核误差：<±0.3%符合ASTM指标
7．测试探头：（1）探针机械游移率：± 0.3% 符合ASTM 指标
8．电源：交流220V±10% 50HZ或60HZ 功率消耗< 30W
9．电气箱外形尺寸：119×440×320mm
